Статьи

1. Связь выхода годных многомезовых кремниевых лавинно-пролётных диодов миллиметрового диапазона со структурными параметрами / А. С. Ташилов, М. Н. Барашев, А. Н. Багов, А. А. Дышеков, Ю. П. Хапачев // Поверхность. – 2007. – № 5. – С. 3–6.
2. Ташилов, А. С. Новые подходы в технологии особо мощных диодных СВЧ-генераторов миллиметрового диапазона / А. С. Ташилов, М. Н. Барашев, Ю. П. Хапачев / Под ред. д. т. н., проф. Б. С. Карамурзова и д. ф.-м. н., проф. А. А. Дышекова. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2007. – 60 с.
3. Барашев, М. Н. Рентгенодифрактометрическое исследование двухслойной гетероструктуры с переходным слоем с учётом изменения электронной плотности / М. Н. Барашев // Поверхность. – 2005. – № 6. – С. 13-17.
4. Структурные параметры и качество многомезовых кремниевых лавинно-пролетных диодов / А. С. Ташилов, М. Н. Барашев, А. Н. Багов, Ю. П. Хапачев // II Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФП-2) с участием зарубежных ученых: материалы конференции. – Черновцы: Рута, 2004. – Т. 2. – С. 563.
5. Рентгенодифрактометрическиое исследование нарушенных приповерхностных слоев Si(111) и InGaP/GaAs(111) на основе модели постоянного градиента деформации / В. В. Лидер, Ф. Н. Чуховский, Ю. П. Хапачев, М. Н. Барашев // ФТТ. – 1989. – Т. 31. – Вып. 4. – С.74–81.
6. Barashev, M. N. The new approaches in a process engineering high power microwaves diodes millimeter wave band / A. A. Dyshekov, A. S. Tashilov, М. N. Barashev // Journal of Guangdong Non-Ferrous Metals. – 2005. – Vol. 15, 52. – № 2–3. – P. 545–547.